tunelska dioda, Esakijeva dioda, posebna vrsta poluvodičke diode koja se sastoji od vrlo tankog zapornog sloja (pn-spoja) pri čemu su i p-sloj i n-sloj ekstremno dotirani. Zbog takva spoja elektronima se omogućuje tuneliranje iz vodljivog pojasa n-strane kroz barijeru na p-stranu tzv. tunelskim efektom. Na jednom dijelu strujnonaponske karakteristike porastom napona dolazi do pada struje. Upotrebljava se za vrlo brze elektron. komponente, pa i kao memorija.